4H-pool HPSI 2-tolline SiC substraatvahvel Production Dummy Research klass

4H-pool-HPSI 2-tolline SiC-substraatvahvel Tootmine näiv-uuringukvaliteediga Esiletõstetud pilt

Lühike kirjeldus:

2-tolline ränikarbiidi monokristallplaat on suure jõudlusega materjal, millel on silmapaistvad füüsikalised ja keemilised omadused.See on valmistatud kõrge puhtusastmega ränikarbiidi monokristallmaterjalist, millel on suurepärane soojusjuhtivus, mehaaniline stabiilsus ja kõrge temperatuuritaluvus.Tänu ülitäpsele ettevalmistusprotsessile ja kvaliteetsetele materjalidele on see kiip üks eelistatumaid materjale suure jõudlusega elektroonikaseadmete valmistamiseks paljudes valdkondades.

Saatke meile e-kiri

Toote üksikasjad

Tootesildid

Poolisoleerivad ränikarbiidsubstraadi SiC vahvlid

Ränikarbiidist substraat jaguneb peamiselt juhtivaks ja poolisoleerivaks tüübiks, juhtivat ränikarbiidist substraati n-tüüpi substraadiks kasutatakse peamiselt epitaksiaalsete GaN-põhiste LED- ja muude optoelektrooniliste seadmete, SiC-põhiste jõuelektrooniliste seadmete jms jaoks ning pool- isoleerivat SiC ränikarbiidi substraati kasutatakse peamiselt GaN suure võimsusega raadiosagedusseadmete epitaksiaalseks tootmiseks.Lisaks on kõrge puhtusastmega poolisolatsiooniga HPSI ja SI poolisolatsioon erinev, kõrge puhtusastmega poolisolatsiooni kandja kontsentratsioon on 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3 vahemikus, kõrge elektronide liikuvusega;Poolisolatsioon on suure takistusega materjalid, eritakistus on väga kõrge, tavaliselt kasutatakse mikrolaineseadmete substraatide jaoks, mittejuhtivad.

Poolisoleeriv ränikarbiidist alusplaat SiC vahvel

SiC kristallstruktuur määrab selle füüsikalised omadused Si ja GaAs suhtes, SiC füüsikalised omadused;keelatud ribalaius on suur, ligi 3 korda suurem Si-st, et tagada seadme pikaajaline töökindlus kõrgel temperatuuril;läbilöögivälja tugevus on kõrge, on 1O korda suurem kui Si-st, et tagada seadme pingevõimsus, parandada seadme pinge väärtust;küllastuselektronide kiirus on suur, on 2 korda suurem Si-st, et suurendada seadme sagedust ja võimsustihedust;soojusjuhtivus on kõrge, rohkem kui Si, soojusjuhtivus on kõrge, soojusjuhtivus on kõrge, soojusjuhtivus on kõrge, soojusjuhtivus on kõrge, rohkem kui Si, soojusjuhtivus on kõrge, soojusjuhtivus on kõrge.Kõrge soojusjuhtivus, rohkem kui 3 korda suurem kui Si-l, suurendades seadme soojuseraldusvõimet ja realiseerides seadme miniatuursuse.