Silicon-On-Isolator Substrate SOI vahvel kolm kihti mikroelektroonika ja raadiosageduse jaoks

Silicon-On-Isolator Substrate SOI vahvel kolm kihti mikroelektroonika ja raadiosagedusliku esiletõstetud pildi jaoks

Lühike kirjeldus:

SOI täisnimi Silicon On Insulator on isolaatori peal oleva ränitransistori struktuuri tähendus, põhimõte on ränitransistori vahel, lisage isolaatorimaterjal, mis võib muuta parasiitmahtuvuse nende kahe vahel vähem kui kahekordseks.

Saatke meile e-kiri

Toote üksikasjad

Tootesildid

Vahvlikarbi tutvustus

Tutvustame meie täiustatud Silicon-On-Isolator (SOI) vahvlit, mis on hoolikalt konstrueeritud kolme erineva kihiga, mis muudab mikroelektroonika ja raadiosageduslike (RF) rakenduste revolutsiooniliseks.See uuenduslik substraat ühendab endas ülemise ränikihi, isoleeriva oksiidikihi ja alumise räni põhimiku, et pakkuda võrratut jõudlust ja mitmekülgsust.

Kaasaegse mikroelektroonika nõudmistele loodud SOI-plaat loob tugeva aluse ülima kiiruse, energiatõhususe ja töökindlusega keerukate integraallülituste (IC-de) valmistamiseks.Ülemine ränikiht võimaldab keeruliste elektrooniliste komponentide sujuvat integreerimist, samas kui isoleeriv oksiidikiht minimeerib parasiitmahtuvust, parandades seadme üldist jõudlust.

RF-rakenduste valdkonnas paistab meie SOI-plaat silma oma madala parasiitmahtuvuse, kõrge läbilöögipinge ja suurepäraste isolatsiooniomadustega.See substraat, mis sobib ideaalselt RF-lülitite, võimendite, filtrite ja muude RF-komponentide jaoks, tagab optimaalse jõudluse traadita sidesüsteemides, radarisüsteemides ja mujal.

Veelgi enam, meie SOI-plaadile omane kiirgustaluvus muudab selle ideaalseks kosmose- ja kaitserakenduste jaoks, kus töökindlus karmides keskkondades on kriitiline.Selle tugev konstruktsioon ja erakordsed jõudlusomadused tagavad ühtlase töö ka äärmuslikes tingimustes.

Põhijooned:

Kolmekihiline arhitektuur: ülemine ränikiht, isoleeriv oksiidikiht ja alumine ränisubstraat.

Suurepärane mikroelektroonika jõudlus: võimaldab valmistada täiustatud IC-sid, millel on suurem kiirus ja energiatõhusus.

Suurepärane raadiosageduslik jõudlus: RF-seadmete madal parasiitmahtuvus, kõrge läbilöögipinge ja suurepärased isolatsiooniomadused.

Lennundus- ja kosmoseklassi töökindlus: loomupärane kiirgustaluvus tagab töökindluse karmides keskkondades.

Mitmekülgsed rakendused: sobib paljudele tööstusharudele, sealhulgas telekommunikatsiooni-, kosmose-, kaitse- ja palju muud.

Kogege järgmise põlvkonna mikroelektroonikat ja RF-tehnoloogiat meie täiustatud Silicon-On-Isolator (SOI) vahvliga.Avage uued võimalused innovatsiooniks ja edendage oma rakenduste edenemist meie tipptasemel substraadilahendusega.