6-tollised HPSI SiC substraatvahvlid ränikarbiidist poolisoleerivad ränikarbiidi vahvlid

6-tolline HPSI SiC substraatplaat ränikarbiidist poolisoleeriv ränikarbiidi vahvel Esiletõstetud pilt

Lühike kirjeldus:

Kvaliteetne monokristalliline SiC vahvel (SICC ränikarbiid) elektroonika- ja optoelektroonikatööstusele.3-tolline SiC vahvel on järgmise põlvkonna pooljuhtmaterjal, poolisoleerivad 3-tollise läbimõõduga ränikarbiidist vahvlid.Vahvlid on ette nähtud toite-, RF- ja optoelektroonikaseadmete valmistamiseks.

Saatke meile e-kiri

Toote üksikasjad

Tootesildid

PVT ränikarbiidi kristalli ränikarbiidi kasvutehnoloogia

SiC monokristallide praegused kasvumeetodid hõlmavad peamiselt kolme järgmist: vedelfaasi meetod, kõrge temperatuuriga keemilise aurustamise-sadestamise meetod ja füüsikalise aurufaasi transpordi (PVT) meetod.Nende hulgas on PVT-meetod ränikarbiidi monokristallide kasvatamiseks kõige rohkem uuritud ja küpsem tehnoloogia ning selle tehnilised raskused on järgmised:

(1) SiC monokristall kõrgel temperatuuril 2300 ° C suletud grafiidikambri kohal, et viia lõpule "tahke - gaas - tahke" konversiooni ümberkristallimisprotsess, kasvutsükkel on pikk, raskesti kontrollitav ja kalduvus mikrotuubulitele, kandmistele ja muid defekte.

(2) Ränikarbiidi monokristall, sealhulgas rohkem kui 200 erinevat kristallitüüpi, kuid üldiselt toodetakse ainult ühte tüüpi kristalle, mida on lihtne toota kasvuprotsessis kristallitüüpi transformatsiooni, mille tulemuseks on mitut tüüpi kandmise defektid, ühe kristalli valmistamise protsess spetsiifilist kristallitüüpi on protsessi stabiilsust raske kontrollida, näiteks praegune 4H-tüüpi mainstream.

(3) Ränikarbiidi monokristallide kasvu termiline väli on temperatuurigradient, mille tulemusena tekib kristallide kasvuprotsessis loomulik sisemine pinge ja sellest tulenevad nihestused, vead ja muud defektid.

(4) Ränikarbiidi monokristallide kasvuprotsess peab rangelt kontrollima väliste lisandite sisseviimist, et saada väga kõrge puhtusastmega poolisolatsioonikristall või suunatult legeeritud juhtiv kristall.RF-seadmetes kasutatavate poolisoleerivate ränikarbiidsubstraatide elektrilised omadused tuleb saavutada, kontrollides väga madalat lisandite kontsentratsiooni ja teatud tüüpi punktdefekte kristallis.