12-tolline Dia300x1,0 mmt Sapphire Wafer Substrate C-Plane SSP/DSP

Lühike kirjeldus:

Teaduse ja tehnoloogia arenguga on seatud uued nõuded safiirkristallmaterjalide suurusele ja kvaliteedile.Nüüd, pooljuhtvalgustuse ja muude esilekerkivate rakenduste kiire arenguga, laieneb odavate, kvaliteetsete ja suurte safiirkristallide turg dramaatiliselt.

Saatke meile e-kiri

Toote üksikasjad

Tootesildid

12-tollise Sapphire substraadi turuolukord

Praegu on safiiril kaks peamist kasutusotstarvet, üks on substraadi materjal, mis on peamiselt LED-substraadi materjal, teine on kella sihverplaat, lennundus, lennundus, spetsiaalne aknamaterjal.

Kuigi ledide substraatidena on lisaks safiirile saadaval ka ränikarbiid, räni ja galliumnitriid, pole masstootmine siiski võimalik kulukuse ja mõningate lahendamata tehniliste kitsaskohtade tõttu.Viimaste aastate tehnilise arengu tõttu on safiirist substraat võre sobitamine, elektrijuhtivus, mehaanilised omadused, soojusjuhtivus ja muud omadused oluliselt paranenud ja edendatud, kulutõhus eelis on märkimisväärne, nii et safiirist on saanud kõige küpsem ja stabiilsem substraadi materjal. LED-tööstuses on turul laialdaselt kasutatud, turuosa ulatub 90% -ni.

Iseloomulik 12-tollisele Sapphire Wafer substraadile

1. Safiirsubstraadi pindadel on äärmiselt madal osakeste arv, 2–8 tolli suurusvahemikus 2 tolli kohta on vähem kui 50 osakest, mille suurus on 0,3 mikronit või rohkem, ja peamised metallid (K, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni , Cu, Zn) alla 2E10/cm2.Eeldatavasti saavutab selle klassi ka 12-tolline alusmaterjal.
2. Saab kasutada kandeplaadina 12-tolliste pooljuhtide tootmisprotsessis (seadmesisesed transpordialused) ja aluspinnana liimimisel.
3. Oskab juhtida nõgusa ja kumera pinna kuju.
Materjal: kõrge puhtusastmega monokristall Al2O3, safiirvahvel.
LED kvaliteet, mullid, praod, kaksikud, põlvnemine, värvus jne.

12-tollised safiirvahvlid

Orienteerumine	C-tasand<0001> +/- 1 kraad.
Läbimõõt	300,0 +/-0,25 mm
Paksus	1,0 +/-25 um
Sälk	Sälk või tasane
TTV	<50 um
VIBU	<50 um
Servad	Proaktiivne faas
Esikülg – poleeritud 80/50
Lasermärk	Mitte ühtegi
Pakendamine	Ühe vahvlikandja kast
Esikülg Epi valmis poleeritud (Ra <0,3nm)
Tagumine pool Epi valmis poleeritud (Ra <0,3nm)