Võrreldes ränikarbiidi seadmetega on galliumnitriidi jõuseadmetel rohkem eeliseid stsenaariumide puhul, kus on vaja samaaegselt tõhusust, sagedust, mahtu ja muid kõikehõlmavaid aspekte, näiteks galliumnitriidil põhinevaid seadmeid on edukalt rakendatud kiirlaadimise valdkonnas. suures ulatuses.Uute alljärgnevate rakenduste puhkemise ja galliumnitriidi substraadi ettevalmistamise tehnoloogia pideva läbimurde tõttu peaks GaN-seadmete maht jätkuvalt suurenema ning neist saab üks kulude vähendamise ja tõhususe ning säästva rohelise arengu võtmetehnoloogiaid.
Praegu on kolmanda põlvkonna pooljuhtmaterjalid muutunud strateegiliselt arenevate tööstusharude oluliseks osaks ning sellest on saamas ka strateegiline juhtpunkt järgmise põlvkonna infotehnoloogia, energiasäästu ja heitkoguste vähendamise ning riigikaitse julgeolekutehnoloogia kasutuselevõtuks.Nende hulgas on galliumnitriid (GaN) üks esinduslikumaid kolmanda põlvkonna pooljuhtmaterjale laia ribalaiusega pooljuhtmaterjalina, mille ribalaius on 3,4 eV.
3. juulil karmistas Hiina galliumi ja germaaniumiga seotud kaupade eksporti, mis on oluline poliitiline korrigeerimine, mis põhineb galliumi kui haruldase metalli kui "pooljuhtide tööstuse uue tera" olulisel atribuudil ja selle laialdastel kasutuseelistel. pooljuhtmaterjalid, uus energia ja muud valdkonnad.Seda poliitikamuutust silmas pidades käsitletakse ja analüüsitakse galliumnitriidi valmistamistehnoloogia ja väljakutsete, uute kasvupunktide ja konkurentsimudeli aspektidest.
Lühitutvustus:
Galliumnitriid on omamoodi sünteetiline pooljuhtmaterjal, mis on tüüpiline kolmanda põlvkonna pooljuhtmaterjalide esindaja.Võrreldes traditsiooniliste ränimaterjalidega, on galliumnitriidi (GaN) eelisteks suur ribalaius, tugev läbilöögi elektriväli, madal takistus, suur elektronide liikuvus, kõrge muundamise efektiivsus, kõrge soojusjuhtivus ja väike kadu.
Galliumnitriidi monokristall on suurepärase jõudlusega uue põlvkonna pooljuhtmaterjalid, mida saab laialdaselt kasutada side-, radari-, olmeelektroonikas, autoelektroonikas, energiaenergias, tööstuslikus lasertöötluses, mõõteriistades ja muudes valdkondades, nii et selle arendamine ja masstootmine on riikide ja tööstusharude tähelepanu keskpunktis kogu maailmas.
GaN-i rakendamine
1--5G side tugijaam
Traadita side infrastruktuur on galliumnitriidi raadiosagedusseadmete peamine kasutusvaldkond, moodustades 50%.
2-- kõrge toiteallikas
GaN-i "topeltkõrguse" funktsioonil on suur läbitungimispotentsiaal suure jõudlusega tarbeelektroonikaseadmetes, mis vastavad kiirlaadimise ja laadimiskaitse stsenaariumide nõuetele.
3 - Uus energiasõiduk
Praktilise rakenduse seisukohast on praegused autos olevad kolmanda põlvkonna pooljuhtseadmed peamiselt ränikarbiidist seadmed, kuid on olemas sobivad galliumnitriidmaterjalid, mis suudavad läbida toiteseadmete moodulite autoregulatsiooni sertifikaadi või muud sobivad pakkimismeetodid. siiski aktsepteerivad kogu tehas ja originaalseadmete valmistajad.
4--Andmekeskus
GaN toitepooljuhte kasutatakse peamiselt andmekeskuste toiteplokkides.
Kokkuvõttes võib öelda, et uute järgnevate rakenduste puhkemise ja pidevate läbimurretega galliumnitriidi substraadi ettevalmistamise tehnoloogias eeldatakse, et GaN-seadmete maht kasvab jätkuvalt ning neist saab üks kulude vähendamise ja tõhususe ning säästva rohelise arengu võtmetehnoloogiaid.
Postitusaeg: 27. juuli 2023