Viimastel aastatel, kuna järgnevad rakendused, nagu uued energiasõidukid, fotogalvaaniline elektritootmine ja energia salvestamine, on pidevalt levinud, on ränikarbiidil uue pooljuhtmaterjalina neis valdkondades oluline roll.Vastavalt Yole Intelligence'i 2023. aastal avaldatud Power SiC turuaruandele prognoositakse, et 2028. aastaks ulatub võimsate SiC seadmete globaalse turu suurus peaaegu 9 miljardi dollarini, mis tähendab ligikaudu 31% kasvu võrreldes 2022. aastaga. SiC turu üldine suurus pooljuhid näitavad pidevat laienemistrendi.
Paljude tururakenduste hulgas domineerivad uued energiasõidukid 70% turuosaga.Praegu on Hiinast saanud maailma suurim uute energiasõidukite tootja, tarbija ja eksportija.Nikkei Asian Review kohaselt ületas Hiina autoeksport 2023. aastal uute energiasõidukite tõttu esimest korda Jaapanist, tehes Hiinast maailma suurima autoeksportija.
Seistes silmitsi kasvava turunõudlusega, avab Hiina ränikarbiiditööstus kriitilise arenguvõimaluse.
Alates riikliku teaduse ja tehnoloogia innovatsiooni kolmeteistkümnenda viie aasta kava avaldamisest riiginõukogu poolt 2016. aasta juulis on kolmanda põlvkonna pooljuhtkiipide arendamine pälvinud valitsuselt suurt tähelepanu ning pälvinud positiivseid vastuseid ja ulatuslikku toetust. erinevad piirkonnad.2021. aasta augustiks kaasas Tööstus- ja Infotehnoloogiaministeerium (MIIT) kolmanda põlvkonna pooljuhid tööstusteaduse ja tehnoloogia innovatsiooni arendamise neljateistkümnendasse viieaastasse, andes sellega veelgi hoogu kodumaise ränidioksiidi turu kasvule.
Nii turunõudlusest kui ka poliitikast ajendatuna kerkivad kodumaised ränikarbiiditööstuse projektid kiiresti nagu seeni pärast vihma, mis kujutab endast laialdast arengut.Meie mittetäieliku statistika kohaselt on ränidioksiidiga seotud ehitusprojekte praeguse seisuga kasutusele võetud vähemalt 17 linnas.Nende hulgas on Jiangsu, Shanghai, Shandong, Zhejiang, Guangdong, Hunan, Fujian ja teised piirkonnad muutunud ränidioksiidi tööstuse arengu olulisteks keskusteks.Eelkõige tugevdab see ReTopTechi uue projektiga tootmist kogu kodumaist kolmanda põlvkonna pooljuhtide tööstuse ketti, eriti Guangdongis.
Järgmine ReTopTechi paigutus on 8-tolline SiC substraat.Kuigi praegu domineerivad turul 6-tollised SiC-substraadid, liigub tööstuse arengusuund kulude vähendamise kaalutluste tõttu järk-järgult 8-tolliste substraatide poole.GTATi ennustuste kohaselt väheneb 8-tolliste substraatide maksumus võrreldes 6-tolliste substraatidega 20–35%.Praegu on nii kodumaised kui ka rahvusvahelised tuntud SiC tootjad nagu Wolfspeed, ST, Coherent, Soitec, Sanan, Taike Tianrun ja Xilinx Integration hakanud järk-järgult üle minema 8-tollistele aluspindadele.
Sellega seoses plaanib ReTopTech tulevikus rajada suuremõõtmelise kristallide kasvu ja epitaksitehnoloogia uurimis- ja arenduskeskuse.Ettevõte teeb koostööd kohalike võtmelaboritega, et teha koostööd instrumentide ja seadmete jagamise ning materjaliuuringute vallas.Lisaks plaanib ReTopTech tugevdada innovatsioonialast koostööd suuremate seadmete tootjatega kristallitöötlustehnoloogia vallas ning teha koostööd juhtivate järgnevate ettevõtetega autotööstuse seadmete ja moodulite uurimis- ja arendustegevuses.Nende meetmete eesmärk on tõsta Hiina teadus- ja arendustegevuse ning industrialiseerimise tootmistehnoloogia taset 8-tolliste substraatplatvormide valdkonnas.
Kolmanda põlvkonna pooljuhid, mille peamine esindaja on SiC, on üldiselt tunnustatud kui üks lootustandvamaid alamvaldkondi kogu pooljuhtide tööstuses.Hiinal on täielik tööstusahela eelis kolmanda põlvkonna pooljuhtide vallas, mis hõlmab seadmeid, materjale, tootmist ja rakendusi, mis võib luua ülemaailmse konkurentsivõime.
Postitusaeg: aprill-08-2024