50,8 mm/100 mm AlN-mall NPSS/FSS-il AlN-mall safiiril
AlN-On-Sapphire
AlN-On-Sapphire'i saab kasutada mitmesuguste fotoelektriliste seadmete valmistamiseks, näiteks:
1. LED-kiibid: LED-kiibid on tavaliselt valmistatud alumiiniumnitriidkiledest ja muudest materjalidest. Ledide tõhusust ja stabiilsust saab parandada, kasutades LED-kiipide substraadina AlN-On-Sapphire vahvleid.
2. Laserid: AlN-On-Sapphire vahvleid saab kasutada ka laserite substraatidena, mida tavaliselt kasutatakse meditsiinis, side- ja materjalitöötluses.
3. Päikesepatareid: päikesepatareide valmistamiseks on vaja kasutada selliseid materjale nagu alumiiniumnitriid. AlN-On-Sapphire substraadina võib parandada päikesepatareide tõhusust ja eluiga.
4. Muud optoelektroonilised seadmed: AlN-On-Sapphire plaate saab kasutada ka fotodetektorite, optoelektrooniliste seadmete ja muude optoelektrooniliste seadmete valmistamiseks.
Kokkuvõtteks võib öelda, et AlN-On-Sapphire vahvleid kasutatakse laialdaselt optoelektrilises väljas nende kõrge soojusjuhtivuse, kõrge keemilise stabiilsuse, väikese kadu ja suurepäraste optiliste omaduste tõttu.
50,8 mm/100 mm AlN mall NPSS/FSS-il
Üksus | Märkused | |||
Kirjeldus | AlN-on-NPSS mall | AlN-on-FSS mall | ||
Vahvli läbimõõt | 50,8 mm, 100 mm | |||
Substraat | c-lennuki NPSS | c-plane Planar Sapphire (FSS) | ||
Substraadi paksus | 50,8 mm, 100 mmc tasapinnaline tasapinnaline safiir (FSS) 100 mm: 650 um | |||
AIN epi-kihi paksus | 3–4 um (sihtmärk: 3,3 um) | |||
Juhtivus | Isoleeriv | |||
Pind | Nagu kasvanud | |||
RMS <1 nm | RMS <2 nm | |||
Tagakülg | Jahvatatud | |||
FWHM(002)XRC | < 150 kaaresekundit | < 150 kaaresekundit | ||
FWHM(102)XRC | < 300 kaaresekundit | < 300 kaaresekundit | ||
Serva välistamine | < 2 mm | < 3 mm | ||
Esmane tasane orientatsioon | a-tasapind+0,1° | |||
Esmane lame pikkus | 50,8 mm: 16+/-1 mm 100 mm: 30+/-1 mm | |||
pakett | Pakendatud saatekarpi või ühte vahvlimahutisse |