2-tolline ränikarbiidi substraat 6H-N kahepoolne poleeritud läbimõõt 50,8 mm tootmisklassi uurimisklass

2-tolline ränikarbiidist substraat 6H-N kahepoolne poleeritud läbimõõt 50,8 mm tootmiskvaliteediga uurimisklass Esiletõstetud pilt

Lühikirjeldus:

Ränikarbiid (SiC), tuntud ka kui karborund, on pooljuht, mis sisaldab räni ja süsinikku keemilise valemiga SiC. SiC kasutatakse pooljuhtelektroonika seadmetes, mis töötavad kõrgetel temperatuuridel või kõrgel pingel või mõlemal. SiC on ka üks olulisi LED-komponente, see on populaarne substraat GaN-seadmete kasvatamisel ja see toimib ka soojuse levitajana kõrgel temperatuuril. toite LED-id.
Ränikarbiidist vahvlid on suure jõudlusega materjal, mida kasutatakse elektroonikaseadmete tootmisel. See on valmistatud ränikristallkuplis olevast ränikarbiidikihist ning on saadaval erineva klassi, tüüpi ja pinnaviimistlusega. Vahvlite lamedus on Lambda/10, mis tagab vahvlitest valmistatud elektroonikaseadmete kõrgeima kvaliteedi ja jõudluse. Ränikarbiidist vahvlid sobivad ideaalselt kasutamiseks jõuelektroonikas, LED-tehnoloogias ja täiustatud andurites. Tarnime kvaliteetseid ränikarbiidist vahvleid (sic) elektroonika- ja fotoonikatööstusele.

Saada meile e-kiri

Toote üksikasjad

Tootesildid

2-tollise ränikarbiidist vahvli omadused on järgmised:

1. Parem kiirguskindlus: SIC-plaatidel on tugevam kiirguskindlus, mistõttu need sobivad kasutamiseks kiirguskeskkonnas. Näideteks on kosmoseaparaadid ja tuumarajatised.

2. Kõrgem kõvadus: SIC vahvlid on kõvemad kui räni, mis suurendab vahvlite vastupidavust töötlemise ajal.

3. Madalam dielektriline konstant: SIC-plaatide dielektriline konstant on madalam kui ränil, mis aitab vähendada seadme parasiitmahtuvust ja parandada kõrgsageduslikku jõudlust.

4. Suurem küllastunud elektronide triivi kiirus: SIC-plaatidel on suurem küllastunud elektronide triivi kiirus kui ränil, mis annab SIC-seadmetele eelise kõrgsageduslikes rakendustes.

5. Suurem võimsustihedus: ülaltoodud omadustega suudavad SIC-vahvelseadmed saavutada suurema väljundvõimsuse väiksema suurusega.

2-tollisel ränikarbiidist vahvlil on mitu rakendust.
1. Jõuelektroonika: SiC vahvleid kasutatakse laialdaselt jõuelektroonilistes seadmetes, nagu toitemuundurid, inverterid ja kõrgepingelülitid, kuna neil on kõrge rikkepinge ja madal võimsuskadu.

2. Elektrisõidukid: ränikarbiidist plaate kasutatakse elektrisõidukite jõuelektroonikas, et parandada tõhusust ja vähendada kaalu, mille tulemuseks on kiirem laadimine ja pikem sõiduulatus.

3. Taastuvenergia: ränikarbiidist plaadid mängivad olulist rolli taastuvenergia rakendustes, nagu päikeseinverterid ja tuuleenergiasüsteemid, parandades energia muundamise tõhusust ja töökindlust.

4. Lennundus ja kaitse: ränikarbiidiplaadid on kosmose- ja kaitsetööstuses olulised kõrge temperatuuri, suure võimsusega ja kiirguskindlate rakenduste jaoks, sealhulgas õhusõidukite toitesüsteemide ja radarisüsteemide jaoks.

ZMSH pakub meie ränikarbiidist vahvlite jaoks toodete kohandamisteenuseid. Meie vahvlid on valmistatud kvaliteetsetest Hiinast pärit ränikarbiidi kihtidest, et tagada vastupidavus ja töökindlus. Kliendid saavad valida meie vahvlisuuruste ja spetsifikatsioonide hulgast, et vastata nende konkreetsetele vajadustele.

Meie ränikarbiidist vahvleid on erineva mudeli ja suurusega, mudeliks on Silicon Carbide.

Pakume erinevaid pinnatöötlusi, sealhulgas ühe-/kahepoolset poleerimist pinnakaredusega ≤1,2 nm ja lamedusega Lambda/10. Pakume ka kõrge/madala takistusega valikuid, mida saab kohandada vastavalt teie vajadustele. Meie EPD ≤1E10/cm2 tagab, et meie vahvlid vastavad kõrgeimatele tööstusstandarditele.

Käsitleme kõiki pakendi detaile, puhastust, antistaatilisust, põrutusravi. Olenevalt toote kogusest ja kujust võtame erineva pakkimisprotsessi! Peaaegu üksikute vahvlikassettide või 25 tk kassettide kaupa 100 klassi puhastusruumis.