Sisukord
1. Suur läbimurre 12-tollise ränikarbiidist vahvlil põhineva laserkiirendustehnoloogia valdkonnas
2. Tehnoloogilise läbimurde mitmekordne tähtsus ränikarbiidi (SiC) tööstuse arengule
3. Tulevikuväljavaated: XKH terviklik arendus- ja tööstuskoostöö
Hiljuti tegi juhtiv kodumaine pooljuhtseadmete tootja Beijing Jingfei Semiconductor Technology Co., Ltd. olulise läbimurde ränikarbiidist (SiC) vahvlite töötlemise tehnoloogias. Ettevõte saavutas edukalt 12-tolliste ränikarbiidist vahvlite stardi, kasutades oma iseseisvalt väljatöötatud laser-starteriseadet. See läbimurre tähistab Hiina jaoks olulist sammu kolmanda põlvkonna pooljuhtvõtmete tootmisseadmete valdkonnas ning pakub uue lahenduse kulude vähendamiseks ja tõhususe parandamiseks ülemaailmses ränikarbiidi tööstuses. Seda tehnoloogiat on varem valideerinud mitu klienti 6/8-tollise ränikarbiidi valdkonnas ning seadmete jõudlus on saavutanud rahvusvaheliselt kõrge taseme.
Sellel tehnoloogilisel läbimurdel on ränikarbiidi tööstuse arengu jaoks mitu tähtsust, sealhulgas:
1. Tootmiskulude märkimisväärne vähenemine:Võrreldes tavapäraste 6-tolliste ränikarbiidist vahvlitega suurendavad 12-tollised ränikarbiidist vahvlid saadaolevat pinda umbes neli korda, vähendades kiibi ühikuhinda 30–40%.
2. Suurem tööstusharu tarnevõime:See tegeleb suurte ränikarbiidist vahvlite töötlemise tehniliste kitsaskohtadega, pakkudes seadmete tuge ränikarbiidi tootmisvõimsuse ülemaailmseks laiendamiseks.
3. Kiirendatud lokaliseerimise asendamise protsess:See murrab välismaiste ettevõtete tehnoloogilise monopoli suurte ränikarbiidi töötlemise seadmete valdkonnas, pakkudes olulist tuge Hiina pooljuhtseadmete autonoomsele ja kontrollitavale arendamisele.
4. Allavoolu rakenduste populariseerimise edendamine:Kulude vähendamine kiirendab ränikarbiidist seadmete rakendamist võtmevaldkondades, nagu uued energiasõidukid ja taastuvenergia.
Pekingi Jingfei Semiconductor Technology Co., Ltd. on Hiina Teaduste Akadeemia Pooljuhtide Instituudi ettevõte, mis keskendub spetsiaalsete pooljuhtseadmete uurimis- ja arendustegevusele, tootmisele ja müügile. Laserrakendustehnoloogiale tuginedes on ettevõte välja töötanud rea pooljuhtide töötlemise seadmeid, millel on sõltumatud intellektuaalomandi õigused ja mis teenindavad peamisi kodumaiseid pooljuhtide tootjaid.
Jingfei Semiconductori tegevjuht ütles: „Me järgime alati tehnoloogilist innovatsiooni, et edendada tööstuslikku progressi. 12-tollise ränikarbiidist laserkiirendustehnoloogia edukas väljatöötamine ei peegelda mitte ainult ettevõtte tehnilisi võimekusi, vaid on saanud kasu ka Pekingi linna teadus- ja tehnoloogiakomisjoni, Hiina Teaduste Akadeemia pooljuhtide instituudi ning Pekingi-Tianjini-Hebei riikliku tehnoloogilise innovatsioonikeskuse korraldatud ja ellu viidud võtmeprojekti „Murranguline tehnoloogiline innovatsioon“ tugevast toetusest. Tulevikus jätkame teadus- ja arendustegevuse investeeringute suurendamist, et pakkuda klientidele kvaliteetsemaid pooljuhtseadmete lahendusi.“
Kokkuvõte
Tulevikku vaadates kasutab XKH oma laiaulatuslikku ränikarbiidist alusmaterjalide tooteportfelli (hõlmates 2–12 tolli koos liimimis- ja kohandatud töötlemisvõimalustega) ja mitmematerjalitehnoloogiat (sh 4H-N, 4H-SEMI, 4H-6H/P, 3C-N jne), et aktiivselt reageerida ränikarbiidi tööstuse tehnoloogilisele arengule ja turumuutustele. Parandades pidevalt kiipide saagikust, vähendades tootmiskulusid ning süvendades koostööd pooljuhtseadmete tootjate ja lõppklientidega, on XKH pühendunud pakkuma suure jõudlusega ja töökindlaid alusmaterjalide lahendusi ülemaailmsetele uutele energia-, kõrgepingeelektroonika- ja kõrgtemperatuursetele tööstusrakendustele. Meie eesmärk on aidata klientidel ületada tehnilisi takistusi ja saavutada skaleeritav juurutamine, positsioneerides end usaldusväärse põhimaterjalide partnerina ränikarbiidi väärtusahelas.
Postituse aeg: 09.09.2025