Tööstusuudised
-
Ajastu lõpp? Wolfspeedi pankrot muudab ränikarbiidi maastikku
Wolfspeedi pankrot annab märku ränikarbiidi (SiC) pooljuhtide tööstuse olulisest pöördepunktist. Wolfspeed, ränikarbiidi (SiC) tehnoloogia pikaajaline liider, esitas sel nädalal pankrotiavalduse, mis tähistab olulist nihet ülemaailmsel ränikarbiidi pooljuhtide maastikul. Ettevõtte langus toob esile sügavama...Loe edasi -
Õhukeste kilede sadestamise tehnikate põhjalik ülevaade: MOCVD, magnetronpihustamine ja PECVD
Pooljuhtide tootmises on kõige sagedamini mainitud protsessid fotolitograafia ja söövitamine, kuid epitaksiaalsed ehk õhukese kile sadestamise tehnikad on sama olulised. See artikkel tutvustab mitmeid kiipide valmistamisel kasutatavaid levinud õhukese kile sadestamise meetodeid, sealhulgas MOCVD, magnetr...Loe edasi -
Safiirtermopaari kaitsetorud: täpse temperatuuri mõõtmise edendamine karmides tööstuskeskkondades
1. Temperatuuri mõõtmine – tööstusliku juhtimise selgroog Tänapäeva tööstusharudes, mis tegutsevad üha keerukamates ja äärmuslikumates tingimustes, on täpne ja usaldusväärne temperatuuri jälgimine muutunud hädavajalikuks. Erinevate anduritehnoloogiate hulgas on termopaarid laialdaselt kasutusele võetud tänu...Loe edasi -
Ränikarbiid süttib AR-prillides, avades piirituid uusi visuaalseid kogemusi
Inimtehnoloogia ajalugu võib sageli vaadelda kui pidevat püüdlust „täiustuste” järele – väliste tööriistade järele, mis võimendavad loomulikke võimeid. Näiteks tuli toimis seedesüsteemi „lisandina”, vabastades aju arenguks rohkem energiat. Raadio, mis sündis 19. sajandi lõpus, kuna...Loe edasi -
Laserlõikamisest saab tulevikus 8-tollise ränikarbiidi lõikamise peamine tehnoloogia. Küsimuste ja vastuste kogu.
K: Millised on SiC-plaatide viilutamisel ja töötlemisel kasutatavad peamised tehnoloogiad? V: Ränikarbiidil (SiC) on kõvadus, mis jääb alla vaid teemandile, ning seda peetakse väga kõvaks ja hapraks materjaliks. Viilutamisprotsess, mis hõlmab kasvatatud kristallide lõikamist õhukesteks plaatideks, on...Loe edasi -
SiC vahvlite töötlemise tehnoloogia praegune olukord ja suundumused
Kolmanda põlvkonna pooljuhtmaterjalina on ränikarbiidist (SiC) monokristallil laialdased rakendusvõimalused kõrgsageduslike ja suure võimsusega elektroonikaseadmete tootmisel. SiC töötlemistehnoloogia mängib otsustavat rolli kvaliteetsete alusmaterjalide tootmisel...Loe edasi -
Kolmanda põlvkonna pooljuhtide tõusev täht: galliumnitriid, mis tulevikus mitu uut kasvupunkti pakub
Võrreldes ränikarbiidil põhinevate seadmetega on galliumnitriidil põhinevatel jõuseadmetel rohkem eeliseid olukordades, kus on vaja samaaegselt efektiivsust, sagedust, mahtu ja muid terviklikke aspekte, näiteks galliumnitriidil põhinevaid seadmeid on edukalt rakendatud...Loe edasi -
Kodumaise GaN-tööstuse areng on kiirenenud
Galliumnitriidi (GaN) toiteseadmete kasutuselevõtt kasvab dramaatiliselt, mida juhivad Hiina tarbeelektroonika müüjad, ja võimsus-GaN-seadmete turu eeldatav maht ulatub 2027. aastaks 2 miljardi dollarini, võrreldes 126 miljoni dollariga 2021. aastal. Praegu on tarbeelektroonika sektor galliumnitriidist tootmise peamine edasiviija...Loe edasi